第3のメモリ技術を中国人科学者が開発

人民網日本語版 2018年4月12日(木) 21時40分

復旦大学マイクロ電子学院が発表した情報によると、同校教授の張衛氏と周鵬氏が率いるチームはこのほど、画期的な二次元半導体準不揮発性メモリを作り上げ、第3のメモリ技術を開発した。

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