中国メディアの中国経営報は29日、半導体開発競争の2大勢力である台湾積体電路製造（TSMC）と韓国サムスン電子について、最先端の2ナノメートル（ナノは10億分の1）量産ロードマップを明確に示し、製造プロセス戦争を継続すると報じた。

記事によると、TSMCの魏哲家最高経営責任者（CEO）は19日の法人説明会で、2ナノ半導体の量産を計画通り2025年に開始できると述べた。

TSMCは22年6月、3ナノプロセスの試験生産を同年下半期に開始するとともに、1兆台湾ドル（約4兆6200億円）を投じて2ナノの生産能力レイアウトを拡大し、24年の試験生産開始と25年の量産開始を目指すと明らかにしていた。

TSMCによると、2ナチップに新しいナノシート技術を採用することにより、最小のトランジスタ密度と最高の処理能力を備えたプロセス技術になる。

この新たなプロセスは、既存のFinFET（Fin Field-Effect Transistor）構造の代わりに、漏電しにくく消費電力を削減できるGAA（Gate All Around FET）構造を採用する。

TSMCの宿敵であるサムスン電子も6月の「サムスンファウンドリーフォーラム2023」で2ナノプロセスの最新ロードマップを発表した。ファウンドリ事業部長のチェ・シヨン氏は、2ナノ工程について、25年にモバイル用半導体の生産から開始し、26年にハイパフォーマンス・コンピューティング（HPC）に2ナノ工程を適用し、27年に車向け半導体工程に拡大すると明らかにした。

記事は半導体アナリストのコメントして「製造プロセスにおける両社の競争が本格的に始まるのは2ナノからになるだろう」と伝えている。（翻訳・編集/柳川）