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中国半導体、日米韓への依存脱却へ=フラッシュメモリー月産30万枚生産体制確立―中国メディア

配信日時:2020年6月26日(金) 15時10分
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22日、観察者網は、中国の半導体メーカーが月産30万枚のフラッシュメモリー生産体制を整え、日米韓からの依存脱却に向けて前進する見込みだと報じた。Image by Athena from Pexels

2020年6月22日、観察者網は、中国の大型半導体メーカーが月産30万枚のフラッシュメモリー生産体制を整え、日米韓からの依存脱却に向けて前進する見込みだと報じた。

記事は、中国・清華紫光集団の情報として、傘下の長江存儲科技が湖北省武漢市の東湖新技術開発区にフラッシュメモリ生産工場を建築する第2期工事が着工したと紹介。第1期プロジェクトと合わせると月産能力は30万枚に達すると伝えた。

また、長江存儲科技はすでに稼働している第1期工場で32層、64層の3D NANDの量産を実現し、今年4月には96層を飛び越え、業界内の基地製品では最高となる128層のフラッシュメモリー量産を目指すことを発表したと紹介している。

その上で、計画が実現すれば中国と日本、米国、韓国とのフラッシュメモリー技術の差は1~2年縮まるとの予測が出ているほか、長江存儲科技が大規模生産を実現したことにより今年は世界の64層3D NAND市場競争が一層激しくなり、価格が下落して日米韓にとっては厳しい状況になるとともに、中国の半導体業界における3カ国への依存状況がさらに打破されることになると伝えた。(翻訳・編集/川尻

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